由于科学技术的飞速发展，电脑硬件技术也随着这股潮流在不断的更新、交替。特别是像主板、显卡、处理器的产品更新及所运用的新技术的发展速度更是惊人。在日益更新的配置平台上，内存与整个配置平台的运算性能也相应紧密的联系，就算消费者在其它硬件上采用最新、最快的产品，如果内存相对滞后,那在软件、程序的运行中带来瓶颈也是显而易见的。随着技术的进步，内存行业也意识到了内存在技术发展的重要性，为适应以后硬件配置平台的发展和平稳过渡，内存厂商迅速作出反应推出了采用全新内存架构的DDRII内存。
众所周知，DDRII是由JEDEC(电子元件工业联合会)定义的一种全新下一代DDR内存技术标准的名称。与DDR技术相比，DDRII最大特点是采用4-bit Prefetch技术，该技术可以有效地提升内存带宽，从而突破运算瓶颈。从目前DDR2内存标准来看，内存厂商针对一般电脑市场的DDRII内存将会推出533MHz、667MHz甚至到800MHz不同时钟频率的产品。
与DDR相比，DDRII也有着诸多优势：首先，DDRII内存拥有4bit的数据预读取能力，而DDR内存则只有2bit的数据预读取能力。虽然与DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但是在同等核心频率下，DDRII拥有两倍于DDR的数据传输率，这样DDRII内存就拥有更高的预读系统命令数据能力，并可以简单地获得更为完整的数据传输能力。其次，DDRII还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS，这样大大改善了DDR内存在应用和传输中存在的诸多不足。
最关键的是，在内存的封装形式上DDRII内存也要大大地优于DDR内存。BGA封装由于芯片底部的空间较为宽大，可以在保证引脚间距较大的前提下容纳更多的引脚，可满足更密集的信号I/O需要，这对DDRII而言是必须的。此外，BGA封装还拥有芯片安装容易、电气性能更好、信号传输延迟低、允许高频运作、散热性卓越等许多优点，它成为DDRII官方选择也在情理之中。
BGA封装技术的应用，更是为内存的封装技术升级带来了一次革命。在DDR时代，由于技术的原因和封装技术的不同，UTT（Untested，未经测试的DRAM）颗粒在整个DRAM产业发展史中，可以说是从未缺席过，上游厂商在其生产DRAM颗粒的过程中，只要继续投片下去，便难免会有UTT颗粒出现，这也成为DDR时代内存行业一个事实，而很多小企业基于成本考虑，绝大部份采用传统的TSOP封装方式，借助UTT制造了大量的劣质内存产品，让消费者深受其害。
不过进入DDRII时代后，由于在速度及散热上的需求，经过DRAM厂、OEM计算机大厂及微处理器大厂英特尔（Intel）讨论，认为DDRII必须改采BGA封装方式，才能让DDRII颗粒充分显现出其应有的效能。这也就意味着，在DDRII时代，对于向来习惯采用UTT的生产厂商而言，将会是一大挑战。原因在于这些生产厂商目前习惯采用的技术，大多还是以TSOP封装为主，更重要的是，这些生产厂商，从来没有制造或维修采用BGA封装方式的DRAM模块的经验，一旦有终端市场消费者要求维修时，生产厂商也没有相应的人才或机器设备可以解决问题，从而也就无法真正为消费者提供优质的产品或者服务。
那么如何理解BGA封装方式在DDRII产品上的应用呢？在内存制作流程中,主要的环节如下：晶圆切割测试-封装-颗粒测试-贴片-成品测试-出厂。其中最为关键的步骤是内存颗粒的诞生，需要经过前工序、后工序、检验、封装、测试等步骤后才能算是合格的颗粒。前工序将硅晶圆切割成小的芯片，并进行简单的EDS测试，完成芯片的大部分功能测试；后工序对芯片做I／O（输入／输出）设置和保护；检验工序对整个芯片做全面的检测；最后，再对检验通过的芯片进行封装制成内存颗粒，再对颗粒进行测试，完全合格的颗粒才能用来贴片、制作内存成品。也只有通过这种严格的考验所生产出来的DDRII内存，才能保证其性能、稳定性和兼容性。
