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[新闻图片]东芝NAND闪存: 东芝NAND采用52nm 翻倍读取速度12MB/s
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上一张 | [简介] 据悉，近日东芝称，它将于明年在NAND闪存芯片上采用52nm技术，将闪存芯片的读取速度从现在的6MB/s，大幅提升一倍，达到12MB/s。而目前，东芝的绝大多数闪存芯片产品，都是采用90nm生产工艺，而首批52nm芯片的存储容量将会达到2GB。TOSHIBA的NAND型FLASH闪存芯片，型号TC58512FT ... |
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[新闻图片]东芝NAND闪存: 东芝NAND采用52nm 翻倍读取速度12MB/s |
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